韩国半导体巨头SK海力士5日表示，已与英伟达就明年HBM4的供应完成了价格和数量谈判。
据媒体最新报道，SK海力士在该供应谈判中占据上风，向英伟达供应的HBM4单价已确认约为560美元。此前业内预期SK海力士的HBM4单价约为500美元，但实际交付价格超出预期10%以上，比目前供应的HBM3E（约合370美元）价格高出50%以上。
这款HBM4将搭载于英伟达明年下半年发布的下一代人工智能芯片Rubin。SK海力士今年3月率先向英伟达交付全球首个HBM4 12层堆栈样品，6月即开始供应初始批次。随着AI基础设施投资热潮推高整体存储芯片需求，SK海力士的议价能力得到强化。
英伟达最初对大幅涨价表现出抗拒，考虑到三星电子和美光将大规模供应HBM4，双方一度陷入僵持，但最终供应价格敲定在SK海力士提议的每颗约560美元。一位产业人士表示，考虑到工艺进步和投入成本，HBM4具备大幅提价的因素。
随着明年下半年从主力供应产品HBM3E转向HBM4，该公司HBM业务整体表现预计较今年增长40%至50%。SK海力士在近期投资者关系会议中向机构投资者预测，高营业利润率趋势将延续至明年。该公司称，已锁定符合英伟达规格产品的价格和供应量。
有分析师预计，基于HBM4的高利润率和通用型DRAM价格飙升，SK海力士明年营业利润可能突破70万亿韩元，配资实盘查询创下历史新高，该公司已提前售罄明年产能。
SK海力士披露的最新财报显示，该公司三季度的营收和利润同比暴增，创下新高。三季度，SK海力士实现营收24.45万亿韩元（约合人民币1212.72亿元），同比增长39%；实现营业利润11.38万亿韩元（约合人民币564.45亿元），同比增长62%。这也是SK海力士公司成立以来营业利润首次超过了10万亿韩元。SK海力士在其财报中称，“由于客户在人工智能基础设施方面的投资不断增加，整个存储领域的需求大幅增长。”
HBM4被视为一次重大的技术飞跃，其2048位接口和最高16层的堆叠将带来带宽和容量的巨大提升。东方证券研报指出，HBM4时代，三星、SK海力士、美光有望实现“同步布局”，原厂竞争或进一步加剧。
南方东英日前对上证报表示，作为HBM4率先量产的存储厂商，SK海力士具有领先优势，在全球AI资本开支延续与存储DRAM价格持续增长趋势的支撑下，市场看好SK海力士后期表现。
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